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IPD80N04S306ATMA1

IPD80N04S306ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

N沟道 40V 90A

表面贴装型 N 通道 40 V 90A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3-11


得捷:
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3


立创商城:
N沟道 40V 90A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin2+Tab TO-252


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3


IPD80N04S306ATMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 100W Tc

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 90A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 3250pF @25VVds

额定功率Max 100 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching 3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control., Body applications

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPD80N04S306ATMA1引脚图与封装图
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