IX2120BTR
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
IX2120BTR中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 9.4ns, 9.7ns
输出接口数 2
耗散功率 1300 mW
下降时间Max 9.7 ns
上升时间Max 9.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1300 mW
电源电压 15V ~ 20V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 28
封装 SOIC-28
外形尺寸
封装 SOIC-28
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IX2120BTR引脚图与封装图
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在线购买IX2120BTR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IX2120BTR | IXYS Semiconductor | 门驱动器 1200V High and Low Side Gate Driver | 搜索库存 |
替代型号IX2120BTR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IX2120BTR 品牌： IXYS Semiconductor 封装： | 当前型号 | 门驱动器 1200V High and Low Side Gate Driver | 当前型号 |
| 型号： IX2120B 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOIC-28 | 完全替代 | Driver 1.2kV 2A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 28Pin SOIC Tube | IX2120BTR和IX2120B的区别 |