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IX2120B、IX2120BTR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IX2120B IX2120BTR

描述 Driver 1.2kV 2A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 28Pin SOIC Tube门驱动器 1200V High and Low Side Gate Driver

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 负载控制器负载控制器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 28 28

封装 SOIC-28 SOIC-28

上升/下降时间 9.4ns, 9.7ns 9.4ns, 9.7ns

输出接口数 2 2

耗散功率 1300 mW 1300 mW

下降时间(Max) 9.7 ns 9.7 ns

上升时间(Max) 9.4 ns 9.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1300 mW 1300 mW

电源电压 15V ~ 20V 15V ~ 20V

高度 2.44 mm -

封装 SOIC-28 SOIC-28

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99