IXFL100N50P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFL100N50P中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.052 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 625 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 70.0 A
上升时间 29 ns
隔离电压 2.50 kV
输入电容Ciss 20000pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXFL100N50P引脚图与封装图
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在线购买IXFL100N50P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFL100N50P | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXFL100N50P 晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 500 V, 52 mohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号IXFL100N50P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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