APT50M50JLC、IXFL100N50P、APT50M50PVR对比区别

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型号 APT50M50JLC IXFL100N50P APT50M50PVR

描述 POWER MOS VI™ 500V 77A 0.05ΩIXYS SEMICONDUCTOR  IXFL100N50P  晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 500 V, 52 mohm, 10 V, 5 VN-CH 500V 74.5A

数据手册 ---

制造商 Advanced Power Technology IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 - TO-264-3 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.052 Ω -

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 - 625 W -

阈值电压 - 5 V -

漏源极电压(Vds) - 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) - 70.0 A 74.5A

上升时间 - 29 ns -

隔离电压 - 2.50 kV -

输入电容(Ciss) - 20000pF @25V(Vds) -

下降时间 - 26 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 625W (Tc) -

封装 - TO-264-3 -

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -