IPI60R165CP
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPI60R165CP中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 192 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2000pF @100VVds
额定功率Max 192 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
IPI60R165CP引脚图与封装图
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在线购买IPI60R165CP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPI60R165CP | Infineon 英飞凌 | INFINEON IPI60R165CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号IPI60R165CP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPI60R165CP 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-262 N-Channel 600V 21A | 当前型号 | INFINEON IPI60R165CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： IPW60R165CP 品牌： 英飞凌 封装： TO-247 N-Channel 600V 21A 2nF | 功能相似 | Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET | IPI60R165CP和IPW60R165CP的区别 |
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| 型号： STI25NM60ND 品牌： 意法半导体 封装： TO-262-3 N-CH 600V 21A | 功能相似 | N沟道600 V ， 0.13 Ω ，21是FDmesh ？二功率MOSFET D2PAK ， I2PAK ，TO- 220FP ，TO- 220，TO- 247 N-channel 600 V, 0.13 Ω, 21 A FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 | IPI60R165CP和STI25NM60ND的区别 |