额定电压DC 500 V
额定电流 32.0 A
额定功率 360 W
针脚数 3
漏源极电阻 150 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 360 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 32.0 A
上升时间 42 ns
输入电容Ciss 5700pF @25VVds
额定功率Max 360 W
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFH32N50 | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXFH32N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 500 V, 150 mohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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