
针脚数 3
漏源极电阻 170 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 540 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 133 ns
输入电容Ciss 10400pF @25VVds
下降时间 44 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 540W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTH40N50L2 | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXTH40N50L2 晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 40 A, 500 V, 170 mohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXTH40N50L2 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 N-Channel | 当前型号 | IXYS SEMICONDUCTOR IXTH40N50L2 晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 40 A, 500 V, 170 mohm, 10 V, 2.5 V | 当前型号 | |
型号: IXTQ40N50L2 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-3P-3 N-Channel 500V 40A | 完全替代 | IXYS SEMICONDUCTOR IXTQ40N50L2 晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 40 A, 500 V, 170 mohm, 10 V, 2.5 V | IXTH40N50L2和IXTQ40N50L2的区别 | |
型号: IXTT40N50L2 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-268 N-Channel 500V 40A | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXTT40N50L2 晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 40 A, 500 V, 170 mohm, 10 V, 2.5 V | IXTH40N50L2和IXTT40N50L2的区别 |