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IXFN64N50P

IXFN64N50P

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN64N50P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 64 A, 500 V, 85 mohm, 10 V, 5.5 V

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列

IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™

### MOSFET ,IXYS

IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


立创商城:
N沟道 500V 61A (1个物料配4个螺丝)


得捷:
MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B


欧时:
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e络盟:
功率场效应管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 500 V, 64 A, 0.085 ohm, ISOTOP, 模块


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227B


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227B


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227B


Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN64N50P  MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 61 A, 500 V, 85 mohm, 10 V, 5.5 V


IXFN64N50P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 64.0 A

针脚数 4

漏源极电阻 0.085 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 700 W

阈值电压 5.5 V

输入电容 8.70 nF

栅电荷 150 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 61.0 A

输入电容Ciss 8700pF @25VVds

额定功率Max 700 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700W Tc

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.23 mm

宽度 25.42 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电机驱动与控制, 电源管理, Power Management, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

IXFN64N50P引脚图与封装图
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在线购买IXFN64N50P
型号 制造商 描述 购买
IXFN64N50P IXYS Semiconductor IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN64N50P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 64 A, 500 V, 85 mohm, 10 V, 5.5 V 搜索库存
替代型号IXFN64N50P
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXFN64N50P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: SOT-227 N-Channel 500V 61A 85mΩ 8.7nF

当前型号

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN64N50P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 64 A, 500 V, 85 mohm, 10 V, 5.5 V

当前型号

型号: STE53NC50

品牌: 意法半导体

封装: ISOTOP-4 N-Channel 500V 53A 80mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STE53NC50  晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 500 V, 80 mohm, 10 V, 3 V

IXFN64N50P和STE53NC50的区别

型号: STE48NM50

品牌: 意法半导体

封装: ISOTOP N-Channel 550V 48A 100mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STE48NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 550 V, 0.08 ohm, 30 V, 4 V

IXFN64N50P和STE48NM50的区别

型号: APT50M85JVR

品牌: 美高森美

封装: SOT-227 N-CH 500V 50A 10.8nF

功能相似

功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

IXFN64N50P和APT50M85JVR的区别