IGB10N60T
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
INFINEON IGB10N60T 单晶体管, IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263, 3 引脚
TrenchStop IGBT ，600 和 650V
一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。
集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
极低的 VCEsat
低断开损耗
短尾线电流
低 EMI
最大接点温度为 175°C
立创商城:
IGB10N60T
得捷:
IGBT 600V 20A 110W TO263-3
欧时:
### IGBT 分立，Infineon**Infineon** 分散 IGBT 系列提供不同的技术，如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。 它们可用于很多可能需要硬切换和软切换的应用。 这包括工业驱动器、UPS、逆变器、家用电器和感应烹饪。 有些设备可能具有防并联二极管或整体集成二极管。
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin2+Tab TO-263
TME:
Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R