制造商型号: | IGB10N60T |
制造商: | Infineon Technologies (英飞凌) |
产品类别: | 未分类 |
商品描述: | IGBT 電晶體 Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | |
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Infineon Technologies(英飞凌) IGB10N60T
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IGB10N60T 中文资料
数据手册PDF
IGB10N60T 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
商标名 TRENCHSTOP
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 24 A
耗散功率 110 W
栅极—射极漏泄电流 100 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 IGB1N6TXT SP000456678 IGB10N60TATMA1
单位重量 1.556 g
品牌其他型号
IGB10N60T品牌厂家:Infineon Technologies
,所属分类: 未分类
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