ICTE-5
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
电子元器件分类
钳位电压 7.5 V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 1500 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-201
封装 DO-201
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 Non-Compliant
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ICTE-5 | Microsemi 美高森美 | 瞬态吸收齐纳 TRANSIENT ABSORPTION ZENER | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ICTE-5 品牌: Microsemi 美高森美 封装: | 当前型号 | 瞬态吸收齐纳 TRANSIENT ABSORPTION ZENER | 当前型号 | |
型号: MPTE-5 品牌: MDE Semiconductor 封装: | 功能相似 | Transient Suppressor, | ICTE-5和MPTE-5的区别 | |
型号: 1N6373 品牌: Taitron 封装: | 功能相似 | Trans Voltage Suppressor Diode, | ICTE-5和1N6373的区别 |