IS42VM16800G-6BLI

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166MHz 1.8V Mobile SDR

SDRAM - 移动存储器 IC 128Mb（8M x 16）并联 166 MHz 5.5 ns 54-TFBGA（8x8）

得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

贸泽:
动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166MHz 1.8V Mobile SDR

Chip1Stop:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 8Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA

Verical:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA

IS42VM16800G-6BLI中文资料参数规格

技术参数

供电电流 60 mA

存取时间 5.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS42VM16800G-6BLI引脚图与封装图

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替代型号IS42VM16800G-6BLI

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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型号： IS42VM16800H-6BLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装：	完全替代	128m, 1.8V, Mobile Sdram, 8mx16, 166MHz, 54 Ball Bga 8mmx8mm Rohs, It	IS42VM16800G-6BLI和IS42VM16800H-6BLI的区别
型号： IS42S16800F-7BLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： 54-TFBGA	类似代替	动态随机存取存储器 128M 8Mx16 143Mhz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V	IS42VM16800G-6BLI和IS42S16800F-7BLI的区别
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