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IS42VM16800G-6BLI、IS42VM16800H-6BLI、IS42S16800F-7BLI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42VM16800G-6BLI IS42VM16800H-6BLI IS42S16800F-7BLI

描述 动态随机存取存储器 128M (8Mx16) 166MHz 1.8V Mobile SDR128m, 1.8V, Mobile Sdram, 8mx16, 166MHz, 54 Ball Bga (8mmx8mm) Rohs, It动态随机存取存储器 128M 8Mx16 143Mhz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54 54

封装 BGA-54 TFBGA-54 BGA-54

供电电流 60 mA 60 mA 100 mA

位数 - 16 16

存取时间 5.5 ns 5.5 ns 5.4 ns

存取时间(Max) - 6 ns 5.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

封装 BGA-54 TFBGA-54 BGA-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 - - EAR99