IS42SM16800G-6BLI

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 166MHz, 54 ball BGA 8mmx8mm RoHS, IT

SDRAM - 移动存储器 IC 128Mb（8M x 16）并联 54-TFBGA（8x8）

得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

贸泽:
DRAM 128M 8Mx16 166Mhz 3.3V Mobile SDR

Verical:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA

IS42SM16800G-6BLI中文资料参数规格

技术参数

供电电流 60 mA

存取时间 5.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS42SM16800G-6BLI引脚图与封装图

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在线购买IS42SM16800G-6BLI

型号	制造商	描述	购买
IS42SM16800G-6BLI	Integrated Silicon SolutionISSI	128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 166MHz, 54 ball BGA 8mmx8mm RoHS, IT	搜索库存

替代型号IS42SM16800G-6BLI

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IS42SM16800G-6BLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA	当前型号	128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 166MHz, 54 ball BGA 8mmx8mm RoHS, IT	当前型号
型号： IS42S16800F-7BLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： 54-TFBGA	类似代替	动态随机存取存储器 128M 8Mx16 143Mhz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V	IS42SM16800G-6BLI和IS42S16800F-7BLI的区别
型号： IS42S16800E-7BL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA	类似代替	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-54	IS42SM16800G-6BLI和IS42S16800E-7BL的区别
型号： IS42SM16800H-6BLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA-54	类似代替	动态随机存取存储器 M-S动态随机存取存储器,128M,3.3V 166MHz,8Mx16, IT	IS42SM16800G-6BLI和IS42SM16800H-6BLI的区别