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IS42SM16800G-6BLI、IS42SM16800H-6BLI、IS42S16800F-7BLI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42SM16800G-6BLI IS42SM16800H-6BLI IS42S16800F-7BLI

描述 128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT动态随机存取存储器 M-S动态随机存取存储器,128M,3.3V 166MHz,8Mx16, IT动态随机存取存储器 128M 8Mx16 143Mhz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54 54

封装 BGA-54 BGA-54 BGA-54

供电电流 60 mA - 100 mA

位数 - 16 16

存取时间 5.5 ns 5.5 ns 5.4 ns

存取时间(Max) - 6 ns 5.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V

电源电压(Min) 2.7 V - 3 V

封装 BGA-54 BGA-54 BGA-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99 EAR99