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IS43DR81280A-3DBLI

IS43DR81280A-3DBLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

DRAM 1G 128Mx8 333MHz DDR2 1.8V

SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb 128M x 8 Parallel 333MHz 450ps 60-TWBGA 8x13.65


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA


贸泽:
DRAM 1G 128Mx8 333MHz DDR2 1.8v


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60-Pin TW-BGA


DeviceMart:
IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60TWBGA


Win Source:
IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60TWBGA


IS43DR81280A-3DBLI中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 BGA-60

外形尺寸

封装 BGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS43DR81280A-3DBLI引脚图与封装图
IS43DR81280A-3DBLI引脚图

IS43DR81280A-3DBLI引脚图

IS43DR81280A-3DBLI封装图

IS43DR81280A-3DBLI封装图

IS43DR81280A-3DBLI封装焊盘图

IS43DR81280A-3DBLI封装焊盘图

在线购买IS43DR81280A-3DBLI
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS43DR81280A-3DBLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA-60

当前型号

DRAM 1G 128Mx8 333MHz DDR2 1.8V

当前型号

型号: IS43DR81280B-3DBLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

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