IS43DR81280A-3DBLI、IS43DR81280B-3DBLI对比区别

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型号 IS43DR81280A-3DBLI IS43DR81280B-3DBLI

描述 DRAM 1G (128Mx8) 333MHz DDR2 1.8V动态随机存取存储器 1G (128Mx8) 333MHz 1.8v DDR2 S动态随机存取存储器

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 60 60

封装 BGA-60 BGA-60

位数 8 8

存取时间(Max) 0.45 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V 1.9 V

电源电压(Min) 1.7 V 1.7 V

供电电流 - 220 mA

存取时间 - 3 ns

封装 BGA-60 BGA-60

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99