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IS42VM32200K-75BLI

IS42VM32200K-75BLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90

SDRAM - Mobile Memory IC 64Mb 2M x 32 Parallel 133MHz 6ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA


IS42VM32200K-75BLI中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间Max 6ns, 8ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS42VM32200K-75BLI引脚图与封装图
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IS42VM32200K-75BLI Integrated Silicon SolutionISSI Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90 搜索库存
替代型号IS42VM32200K-75BLI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42VM32200K-75BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装:

当前型号

Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90

当前型号

型号: IS42VM32200M-75BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: TFBGA

功能相似

动态随机存取存储器 64M, 1.8V, M-S动态随机存取存储器 2Mx32, 133Mhz, RoHS

IS42VM32200K-75BLI和IS42VM32200M-75BLI的区别