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IS42VM32200K-75BLI、IS42VM32200M-75BLI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42VM32200K-75BLI IS42VM32200M-75BLI

描述 Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90动态随机存取存储器 64M, 1.8V, M-S动态随机存取存储器 2Mx32, 133Mhz, RoHS

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 90 90

封装 BGA-90 TFBGA-90

位数 32 32

存取时间(Max) 6ns, 8ns 7.5 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

存取时间 - 6 ns

封装 BGA-90 TFBGA-90

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99