锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IS42S32400E-6BL

IS42S32400E-6BL

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 Ball BGA 8mmx13mm RoHS

SDRAM 存储器 IC 128Mb(4M x 32) 并联 166 MHz 5.4 ns 90-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


IS42S32400E-6BL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 180 mA

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

IS42S32400E-6BL引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IS42S32400E-6BL
型号 制造商 描述 购买
IS42S32400E-6BL Integrated Silicon SolutionISSI 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 Ball BGA 8mmx13mm RoHS 搜索库存
替代型号IS42S32400E-6BL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42S32400E-6BL

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

当前型号

128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 Ball BGA 8mmx13mm RoHS

当前型号

型号: IS42S32400F-6BL

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: 90-BGA

功能相似

128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS

IS42S32400E-6BL和IS42S32400F-6BL的区别