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IS42S32400E-6BL、IS42S32400F-6BL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S32400E-6BL IS42S32400F-6BL

描述 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 Ball BGA (8mmx13mm) RoHS128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 90 90

封装 TFBGA-90 BGA-90

供电电流 180 mA 150 mA

位数 - 32

存取时间 - 5.4 ns

存取时间(Max) - 5.4ns, 6.5ns

工作温度(Max) - 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V

电源电压(Min) - 3 V

封装 TFBGA-90 BGA-90

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free 无铅

ECCN代码 - EAR99