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IS43DR16128B-25EBLI

IS43DR16128B-25EBLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400MHz @ CL6, 84 ball BGA 10.5mmx13.5mm RoHS, IT

SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb(128M x 16) 并联 400 MHz 400 ps 84-TWBGA(10.5x13)


得捷:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA


贸泽:
DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400Mhz @ CL6, 84 ball BGA 10.5mmx13.5mm RoHS, IT


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA


安富利:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 2G-Bit 128M x 16 1.8V 84-Pin TWBGA


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V


IS43DR16128B-25EBLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 375 mA

位数 16

存取时间 400 ps

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 BGA-84

外形尺寸

封装 BGA-84

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43DR16128B-25EBLI引脚图与封装图
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在线购买IS43DR16128B-25EBLI
型号 制造商 描述 购买
IS43DR16128B-25EBLI Integrated Silicon SolutionISSI 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400MHz @ CL6, 84 ball BGA 10.5mmx13.5mm RoHS, IT 搜索库存
替代型号IS43DR16128B-25EBLI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS43DR16128B-25EBLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: 84-TFBGA

当前型号

2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400MHz @ CL6, 84 ball BGA 10.5mmx13.5mm RoHS, IT

当前型号

型号: IS43DR16128B-25EBLI-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA-84

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IS43DR16128B-25EBLI和IS43DR16128B-25EBLI-TR的区别