IS43DR16128B-25EBLI、IS43DR16128B-25EBLI-TR对比区别

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型号 IS43DR16128B-25EBLI IS43DR16128B-25EBLI-TR

描述 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400MHz @ CL6, 84 ball BGA (10.5mmx13.5mm) RoHS, IT动态随机存取存储器 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400Mhz @ CL6, 84 ball BGA (10.5mmx13.5mm) RoHS, IT, T&R

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片

引脚数 84 84

封装 BGA-84 BGA-84

安装方式 Surface Mount -

位数 16 16

存取时间(Max) 0.4 ns 0.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

供电电流 375 mA -

存取时间 400 ps -

电源电压(Max) 1.9 V -

电源电压(Min) 1.7 V -

封装 BGA-84 BGA-84

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99