IRLL2703
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRLL2703中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 3.90 A
正向电压 1.00 V
漏源极电阻 45.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1W Ta
产品系列 IRLL2703
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 3.90 A
上升时间 24.0 ns
输入电容Ciss 530pF @25VVds
耗散功率Max 1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRLL2703引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRLL2703
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRLL2703 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-223 N-Channel 30V 3.9A 45mΩ | 当前型号 | SOT-223 N-CH 30V 5.5A | 当前型号 |
| 型号： IRLL2703TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 30V 5.5A | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 30 V, 0.045 ohm, 10 V, 2.4 V | IRLL2703和IRLL2703TRPBF的区别 |
| 型号： IRLL2703PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 30V 5.5A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRLL2703和IRLL2703PBF的区别 |