IXFV18N90P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFV18N90P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 600 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 540 W
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
连续漏极电流Ids 18A
输入电容Ciss 5230pF @25VVds
额定功率Max 540 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 540W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFV18N90P引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFV18N90P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFV18N90P | IXYS Semiconductor | PLUS N-CH 900V 18A | 搜索库存 |
替代型号IXFV18N90P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFV18N90P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 900V 18A | 当前型号 | PLUS N-CH 900V 18A | 当前型号 |
| 型号： IXFT18N90P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-2 N-CH 900V 18A | 类似代替 | TO-268 N-CH 900V 18A | IXFV18N90P和IXFT18N90P的区别 |
| 型号： IXFH18N90P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-Channel | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 900V 18A 3Pin3+Tab TO-247 | IXFV18N90P和IXFH18N90P的区别 |