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IXFT18N90P、IXFV18N90P、IXFH18N90P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFT18N90P IXFV18N90P IXFH18N90P

描述 TO-268 N-CH 900V 18APLUS N-CH 900V 18ATrans MOSFET N-CH 900V 18A 3Pin(3+Tab) TO-247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-268-3 TO-220-3 TO-247-3

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 540 W 540 W 540 W

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V

上升时间 - - 33 ns

输入电容(Ciss) 5230pF @25V(Vds) 5230pF @25V(Vds) 5230pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 540 W 540 W 540 W

下降时间 - - 44 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 540W (Tc) 540W (Tc) 540W (Tc)

通道数 1 1 -

漏源极电阻 600 mΩ 600 mΩ -

漏源击穿电压 900 V 900 V -

连续漏极电流(Ids) 18A 18A -

封装 TO-268-3 TO-220-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99