IXTP4N80P
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IXYS Semiconductor
晶体管
IXTP4N80P中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 100 W
阈值电压 5.5 V
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
上升时间 24 ns
反向恢复时间 600 ns
输入电容Ciss 750pF @25VVds
下降时间 29 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXTP4N80P引脚图与封装图
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在线购买IXTP4N80P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTP4N80P | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXTP4N80P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 3 ohm, 10 V, 5.5 V | 搜索库存 |
替代型号IXTP4N80P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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