IXTP4N80P、STB4NB80T4、SPP04N80C3XKSA1对比区别
型号 IXTP4N80P STB4NB80T4 SPP04N80C3XKSA1
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXTP4N80P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 3 ohm, 10 V, 5.5 V4A, 800V, 3.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3INFINEON SPP04N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 中高压MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 D2PAK TO-220-3
额定电压(DC) - - 800 V
额定电流 - - 4.00 A
通道数 - - 1
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 3 Ω - 1.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 100 W - 63 W
阈值电压 5.5 V - 3 V
漏源极电压(Vds) 800 V - 800 V
漏源击穿电压 - 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 4.00 A 4.00 A 4.00 A
上升时间 24 ns - 15 ns
输入电容(Ciss) 750pF @25V(Vds) - 570pF @25V(Vds)
下降时间 29 ns - 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 100W (Tc) - 63000 mW
反向恢复时间 600 ns - -
长度 - - 10 mm
宽度 - - 4.4 mm
高度 - - 15.65 mm
封装 TO-220-3 D2PAK TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Unknown Obsolete
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17