IRFR010TRPBF中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 50 V
连续漏极电流Ids 8.20 A
上升时间 33 ns
下降时间 23 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
IRFR010TRPBF引脚图与封装图
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| IRFR010TRPBF | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 50V 8.2A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |