
极性 N-CH
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 70A
输入电容Ciss 3600pF @25VVds
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXFH70N15 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247AD N-CH 150V 70A | 当前型号 | TO-247AD N-CH 150V 70A | 当前型号 | |
型号: STP80NF10 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IXFH70N15和STP80NF10的区别 | |
型号: STP75NF75 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 75V 80A 9.5mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IXFH70N15和STP75NF75的区别 | |
型号: STP80NF12 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 120V 80A 18mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP80NF12 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 120 V, 13 mohm, 10 V, 2 V | IXFH70N15和STP80NF12的区别 |