额定电压DC 500 V
额定电流 14.0 A
额定功率 190 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 190 W
阈值电压 4 V
输入电容 2600pF @25V
栅电荷 150 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
上升时间 47 ns
输入电容Ciss 2600pF @25VVds
下降时间 44 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.7 mm
封装 TO-247
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube
制造应用 Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFP450PBF | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY IRFP450PBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 400 mohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFP450PBF 品牌： VISHAY 威世 封装： TO-247-3 N-Channel 500V 14A 400mΩ 2.6nF | 当前型号 | 功率MOSFET Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STW14NK50Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 500V 14A 380mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW14NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 0.34 ohm, 10 V, 3.75 V | IRFP450PBF和STW14NK50Z的区别 |
| 型号： STW15NK50Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 500V 14A 340mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW15NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 500 V, 0.3 ohm, 30 V, 3.75 V | IRFP450PBF和STW15NK50Z的区别 |
| 型号： IRFP450 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247AD N-Channel 500V 14A 400mohms 2.8nF | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3Pin3+Tab TO-247AD | IRFP450PBF和IRFP450的区别 |
