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IRFP450、IRFP450PBF、IRFP450APBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP450 IRFP450PBF IRFP450APBF

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3Pin(3+Tab) TO-247AD功率MOSFET Power MOSFET功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 14.0 A 14.0 A 14.0 A

漏源极电阻 400 mΩ 0.4 Ω 0.4 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 190 W 190 W 190 W

输入电容 2.80 nF 2.60 nF 2.04 nF

栅电荷 150 nC 150 nC 64.0 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 14.0 A 14.0 A

上升时间 47.0 ns 47 ns 36 ns

输入电容(Ciss) 2800pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 2038pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 190W (Tc) 190 W 190 W

额定功率 - 190 W -

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 4 V 4 V

漏源击穿电压 - 500 V 500 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

额定功率(Max) - 190 W 190 W

下降时间 - 44 ns 29 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 15.87 mm 15.87 mm

宽度 - 5.31 mm 5.31 mm

高度 - 20.7 mm 20.7 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Design

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free