IXTP42N25P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTP42N25P中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.084 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 5.5 V
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 42.0 A
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 2300pF @25VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXTP42N25P引脚图与封装图
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在线购买IXTP42N25P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTP42N25P | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXTP42N25P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 42 A, 250 V, 84 mohm, 10 V, 5.5 V | 搜索库存 |
替代型号IXTP42N25P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTP42N25P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 N-Channel 250V 42A | 当前型号 | IXYS SEMICONDUCTOR IXTP42N25P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 42 A, 250 V, 84 mohm, 10 V, 5.5 V | 当前型号 |
| 型号： IXTA42N25P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 | 功能相似 | MOSFET N-CH 250V 42A TO-263 | IXTP42N25P和IXTA42N25P的区别 |
| 型号： IXTQ42N25P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P-3 N-CH 250V 42A | 功能相似 | TO-3P N-CH 250V 42A | IXTP42N25P和IXTQ42N25P的区别 |