IXTA42N25P、IXTP42N25P、IXTQ42N25P对比区别

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型号 IXTA42N25P IXTP42N25P IXTQ42N25P

描述 MOSFET N-CH 250V 42A TO-263IXYS SEMICONDUCTOR  IXTP42N25P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 42 A, 250 V, 84 mohm, 10 V, 5.5 VTO-3P N-CH 250V 42A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-3-3

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.084 Ω 84 mΩ

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 300W (Tc) 300 W 300 W

阈值电压 - 5.5 V 5.5 V

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

连续漏极电流(Ids) - 42.0 A 42A

上升时间 28 ns 28 ns 28 ns

输入电容(Ciss) 2300pF @25V(Vds) 2300pF @25V(Vds) 2300pF @25V(Vds)

下降时间 30 ns 30 ns 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 250 V

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-3-3

长度 - - 15.8 mm

宽度 - - 4.9 mm

高度 - - 20.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -