IXFN180N10
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFN180N10中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 0.008 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 600 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 180 A
上升时间 90 ns
隔离电压 2.50 kV
输入电容Ciss 9100pF @25VVds
额定功率Max 600 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600W Tc
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
物理参数
材质 Silicon
重量 42.0 g
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 Lighting, 工业, 照明, Power Management, Industrial, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXFN180N10引脚图与封装图
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在线购买IXFN180N10
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFN180N10 | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXFN180N10 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 180 A, 100 V, 8 mohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号IXFN180N10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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