IXFN180N10、IXFN200N10P、IXFN150N10对比区别

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型号 IXFN180N10 IXFN200N10P IXFN150N10

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN180N10  晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 180 A, 100 V, 8 mohm, 10 V, 4 VIXYS SEMICONDUCTOR  IXFN200N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 200 A, 100 V, 7.5 mohm, 15 V, 5 VTrans MOSFET N-CH 100V 150A 4Pin SOT-227B

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Chassis Chassis Chassis

引脚数 4 4 4

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

针脚数 4 4 -

漏源极电阻 0.008 Ω 0.0075 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 600 W 680 W 520 W

阈值电压 4 V 5 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 180 A 200 A -

上升时间 90 ns 35 ns 60 ns

反向恢复时间 - 150 ns -

输入电容(Ciss) 9100pF @25V(Vds) 7600pF @25V(Vds) 9000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 600 W 680 W 520 W

下降时间 65 ns 90 ns 60 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 600W (Tc) 680W (Tc) 520W (Tc)

通道数 1 - -

漏源击穿电压 100 V - -

隔离电压 2.50 kV - -

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 150 A

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

长度 38.23 mm - 38.23 mm

宽度 25.42 mm - 25.42 mm

高度 9.6 mm - 9.6 mm

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

重量 42.0 g - -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -