IS42S16160D-75ETLI
数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI
主动器件
IS42S16160D-75ETLI中文资料参数规格
技术参数
供电电流 180 mA
位数 16
存取时间 5.4 ns
存取时间Max 5.5 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 54
封装 TSOP-54
外形尺寸
长度 22.22 mm
宽度 10.16 mm
高度 1 mm
封装 TSOP-54
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
IS42S16160D-75ETLI引脚图与封装图
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在线购买IS42S16160D-75ETLI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IS42S16160D-75ETLI | Integrated Silicon SolutionISSI | 动态随机存取存储器 256M 32Mx8 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V | 搜索库存 |
替代型号IS42S16160D-75ETLI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IS42S16160D-75ETLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： TSOP-54 | 当前型号 | 动态随机存取存储器 256M 32Mx8 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V | 当前型号 |
| 型号： IS42S16160D-75ETLI-TR 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： | 完全替代 | 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 133MHz @ CL2, 54Pin TSOP II RoHS, TR, IT, T&R | IS42S16160D-75ETLI和IS42S16160D-75ETLI-TR的区别 |
| 型号： IS42S16160G-7TLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： TSOP-II 54Pin | 类似代替 | RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 | IS42S16160D-75ETLI和IS42S16160G-7TLI的区别 |