IS42S16160D-75ETLI、IS42S16160G-7TLI、IS42S16160D-75ETL对比区别

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型号 IS42S16160D-75ETLI IS42S16160G-7TLI IS42S16160D-75ETL

描述 动态随机存取存储器 256M (32Mx8) 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3VRAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 133MHz @ CL2, 54Pin TSOP II RoHS

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54 54

封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54

供电电流 180 mA 130 mA 180 mA

位数 16 16 16

存取时间 5.4 ns 7 ns 7.5 ns

存取时间(Max) 5.5 ns 5.4 ns 5.5 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V

电源电压(Min) 3 V - 3 V

针脚数 - 54 -

时钟频率 - 143 MHz -

封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54

长度 22.22 mm 22.42 mm -

宽度 10.16 mm 10.29 mm -

高度 1 mm 1.05 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tray Each Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -