IXFH12N50F

IXYS Semiconductor 分立器件

IXYS RF IXFH12N50F 晶体管, 射频FET, 500 V, 12 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD

通孔 N 通道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXFH）

得捷:
MOSFET N-CH 500V 12A TO247

e络盟:
晶体管, 射频FET, 500 V, 12 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin3+Tab TO-247AD

Win Source:
MOSFET N-CH 500V 12A TO247

IXFH12N50F中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 400 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 180 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 1870pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 180W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

IXFH12N50F引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
IXFH12N50F	IXYS Semiconductor	IXYS RF IXFH12N50F 晶体管, 射频FET, 500 V, 12 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD	搜索库存

替代型号IXFH12N50F

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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