IXFH12N50F、STP14NM50N、STP12NM50FD对比区别

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型号 IXFH12N50F STP14NM50N STP12NM50FD

描述 IXYS RF  IXFH12N50F  晶体管, 射频FET, 500 V, 12 A, 180 W, 500 kHz, TO-247ADSTP14NM50N 系列 N 沟道 500 V 0.32 Ohm MDmesh II 功率 MOSFet - TO-220-3N-二CHANNEL500V - 0.32ohm - 12ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET，快速二极管 N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 - -

漏源极电阻 400 mΩ 0.28 Ω 400 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 180 W 90 W 160 W

阈值电压 5 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12A 12.0 A

上升时间 14 ns 9 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 1870pF @25V(Vds) 816pF @50V(Vds) 1000pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 180W (Tc) 90W (Tc) 160W (Tc)

额定电压(DC) - - 500 V

额定电流 - - 12.0 A

漏源击穿电压 - 500 V 500 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

下降时间 - 32 ns 18 ns

通道数 - 1 -

额定功率(Max) - 90 W -

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm 4.6 mm

高度 - 15.75 mm 9.15 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/06/16 -

ECCN代码 - EAR99 -