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IXFH24N80P

IXFH24N80P

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH24N80P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 800 V, 400 mohm, 10 V, 5 V

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列

IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™

### MOSFET ,IXYS

IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


欧时:
IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH24N80P, 24 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247AD封装


立创商城:
N沟道 800V 24A


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MOSFET N-CH 800V 24A TO247AD


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Trans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin3+Tab TO-247AD


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# IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH24N80P  Power MOSFET, N Channel, 24 A, 800 V, 400 mohm, 10 V, 5 V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 800V 24A TO-247


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 24A TO-247


IXFH24N80P中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 650 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

连续漏极电流Ids 24.0 A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 7200pF @25VVds

下降时间 24 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 650W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

IXFH24N80P引脚图与封装图
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在线购买IXFH24N80P
型号 制造商 描述 购买
IXFH24N80P IXYS Semiconductor IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH24N80P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 800 V, 400 mohm, 10 V, 5 V 搜索库存
替代型号IXFH24N80P
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXFH24N80P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3 N-Channel 24A 400mohms

当前型号

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH24N80P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 800 V, 400 mohm, 10 V, 5 V

当前型号

型号: IXFH23N80Q

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3 N-CH 800V 23A

类似代替

TO-247AD N-CH 800V 23A

IXFH24N80P和IXFH23N80Q的区别

型号: IXFT24N80P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-268-2 N-CH 800V 24A

功能相似

TO-268 N-CH 800V 24A

IXFH24N80P和IXFT24N80P的区别

型号: IXFT23N80Q

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-268 N-CH 800V 23A

功能相似

TO-268 N-CH 800V 23A

IXFH24N80P和IXFT23N80Q的区别