IXFH24N80P、IXFT23N80Q、IXFH23N80Q对比区别

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型号 IXFH24N80P IXFT23N80Q IXFH23N80Q

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH24N80P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 800 V, 400 mohm, 10 V, 5 VTO-268 N-CH 800V 23ATO-247AD N-CH 800V 23A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3

引脚数 3 - 3

通道数 1 1 -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 650 W 500 W 500W (Tc)

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 24.0 A 23A 23A

上升时间 27 ns 27 ns 27 ns

输入电容(Ciss) 7200pF @25V(Vds) 4900pF @25V(Vds) 4900pF @25V(Vds)

下降时间 24 ns 14 ns 14 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 650W (Tc) 500W (Tc) 500W (Tc)

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.4 Ω - -

阈值电压 5 V - -

漏源击穿电压 800 V - -

长度 16.26 mm 16.05 mm -

宽度 5.3 mm 14 mm -

高度 21.46 mm 5.1 mm -

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -