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ISL6614BIRZ

ISL6614BIRZ

数据手册.pdf
Intersil 英特矽尔 主动器件
ISL6614BIRZ中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 26ns, 18ns

电源电压 7V ~ 13.2V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 QFN-16

外形尺寸

封装 QFN-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ISL6614BIRZ引脚图与封装图
ISL6614BIRZ引脚图

ISL6614BIRZ引脚图

ISL6614BIRZ封装图

ISL6614BIRZ封装图

ISL6614BIRZ封装焊盘图

ISL6614BIRZ封装焊盘图

在线购买ISL6614BIRZ
型号 制造商 描述 购买
ISL6614BIRZ Intersil 英特矽尔 与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP 搜索库存
替代型号ISL6614BIRZ
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ISL6614BIRZ

品牌: Intersil 英特矽尔

封装: QFN

当前型号

与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP

当前型号

型号: ISL6614BCRZ

品牌: 英特矽尔

封装: QFN

完全替代

与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP

ISL6614BIRZ和ISL6614BCRZ的区别

型号: ISL6614BCRZ-T

品牌: 英特矽尔

封装: Surface

完全替代

与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP

ISL6614BIRZ和ISL6614BCRZ-T的区别

型号: ISL6614BIRZ-T

品牌: 英特矽尔

封装: QFN

完全替代

与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP

ISL6614BIRZ和ISL6614BIRZ-T的区别