上升/下降时间 26ns, 18ns
输出接口数 2
耗散功率 800 mW
下降时间Max 18 ns
上升时间Max 26 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 0 ℃
耗散功率Max 800 mW
电源电压 6.8V ~ 13.2V
电源电压Max 13.2 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL6594DCBZ引脚图
ISL6594DCBZ封装图
ISL6594DCBZ封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
ISL6594DCBZ | Intersil 英特矽尔 | 与保护功能先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: ISL6594DCBZ 品牌: Intersil 英特矽尔 封装: SOIC-8 | 当前型号 | 与保护功能先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features | 当前型号 | |
型号: ISL6594BCBZ 品牌: 英特矽尔 封装: SOIC-8 8Pin | 类似代替 | 3V PWM接口和高级保护功能的高级同步降压MOSFET驱动器 | ISL6594DCBZ和ISL6594BCBZ的区别 | |
型号: ISL6594DCBZ-T 品牌: 瑞萨电子 封装: | 类似代替 | Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features | ISL6594DCBZ和ISL6594DCBZ-T的区别 | |
型号: ISL6594BCRZ 品牌: 英特矽尔 封装: DFN | 功能相似 | 3V PWM接口和高级保护功能的高级同步降压MOSFET驱动器 | ISL6594DCBZ和ISL6594BCRZ的区别 |