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ICL7667EBA

ICL7667EBA

数据手册.pdf

MOSFET DRVR 2Out High Speed Inv 8Pin SOIC N

Half-Bridge Gate Driver IC Inverting 8-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC


安富利:
MOSFET DRVR 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N


ICL7667EBA中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 17.0V max

上升/下降时间 20 ns

输出接口数 2

耗散功率 200 mW

耗散功率Max 200 mW

电源电压 4.5V ~ 17V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

ICL7667EBA引脚图与封装图
ICL7667EBA引脚图

ICL7667EBA引脚图

ICL7667EBA封装图

ICL7667EBA封装图

ICL7667EBA封装焊盘图

ICL7667EBA封装焊盘图

在线购买ICL7667EBA
型号 制造商 描述 购买
ICL7667EBA Maxim Integrated 美信 MOSFET DRVR 2Out High Speed Inv 8Pin SOIC N 搜索库存
替代型号ICL7667EBA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ICL7667EBA

品牌: Maxim Integrated 美信

封装: Surface 17V 8Pin

当前型号

MOSFET DRVR 2Out High Speed Inv 8Pin SOIC N

当前型号

型号: ICL7667EBA+

品牌: 美信

封装: SOIC 17V 8Pin

完全替代

门驱动器 Dual Power Inverting MOSFET Driver

ICL7667EBA和ICL7667EBA+的区别