IXDI509PI
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
IXDI509PI中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 25ns, 23ns
输出接口数 1
上升时间 45 ns
下降时间 40 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 55 ℃
电源电压 4.5V ~ 30V
电源电压Min 4.5 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DIP-8
外形尺寸
封装 DIP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXDI509PI引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IXDI509PI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXDI509PI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Through | 当前型号 | Gate Drivers 9A 40V 1.5Ω Rds | 当前型号 |
| 型号： IXDI609PI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Through | 类似代替 | 低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A | IXDI509PI和IXDI609PI的区别 |