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IXDI509PI、IXDI609PI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDI509PI IXDI609PI

描述 Gate Drivers 9A 40V 1.5Ω Rds低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 DIP-8 DIP-8

引脚数 - 8

上升/下降时间 25ns, 23ns 22ns, 15ns

输出接口数 1 1

上升时间 45 ns 22 ns

下降时间 40 ns 15 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 30V 4.5V ~ 35V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V

下降时间(Max) - 40 ns

上升时间(Max) - 45 ns

电源电压(Max) - 35 V

封装 DIP-8 DIP-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99