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IXFH110N10P

IXFH110N10P

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH110N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 110 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 5 V

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列

IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™


得捷:
MOSFET N-CH 100V 110A TO247AD


欧时:
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立创商城:
N沟道 100V 110A


贸泽:
MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 100 V, 110 A, 0.015 ohm, TO-247, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin3+Tab TO-247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH110N10P  MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 110 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 5 V


IXFH110N10P中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.015 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 480 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 110 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 3550pF @25VVds

额定功率Max 480 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 480W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

IXFH110N10P引脚图与封装图
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在线购买IXFH110N10P
型号 制造商 描述 购买
IXFH110N10P IXYS Semiconductor IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH110N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 110 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 5 V 搜索库存
替代型号IXFH110N10P
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXFH110N10P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3 N-Channel 110A

当前型号

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH110N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 110 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 5 V

当前型号

型号: STW120NF10

品牌: 意法半导体

封装: TO-247 N-Channel 100V 110A 9mΩ 5.2nF

功能相似

STMICROELECTRONICS  STW120NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 9 mohm, 10 V, 4 V

IXFH110N10P和STW120NF10的区别

型号: IXTQ110N10P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-3P-3 N-CH 100V 110A

功能相似

N沟道 100V 110A

IXFH110N10P和IXTQ110N10P的区别

型号: IXTT110N10P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-268 N-CH 100V 110A

功能相似

TO-268 N-CH 100V 110A

IXFH110N10P和IXTT110N10P的区别