IXDD614SITR
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
IXDD614SITR中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 25ns, 18ns
输出接口数 1
上升时间 25 ns
下降时间 18 ns
电源电压 4.5V ~ 35V
电源电压Max 35 V
电源电压Min 4.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IXDD614SITR引脚图与封装图
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在线购买IXDD614SITR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXDD614SITR | IXYS Semiconductor | IXD_614 系列 35 V 14 A 0.8 Ohm 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8 | 搜索库存 |
替代型号IXDD614SITR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXDD614SITR 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOIC-8 | 当前型号 | IXD_614 系列 35 V 14 A 0.8 Ohm 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8 | 当前型号 |
| 型号： IXDD614SI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOIC | 类似代替 | IXD_614 系列 35 V 14 A 0.8 Ohm 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8 | IXDD614SITR和IXDD614SI的区别 |
| 型号： UCC37322D 品牌： 德州仪器 封装： SOIC-8 15V 9A 8Pin | 功能相似 | TEXAS INSTRUMENTS UCC37322D 芯片, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 9A输出, 35ns延迟, SOIC-8 | IXDD614SITR和UCC37322D的区别 |